深圳市英瑞尔电子科技有限公司

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营业执照:已审核经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳

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产品分类

逻辑 - 缓冲器SN74LVC541APWR
逻辑 - 缓冲器SN74LVC541APWR
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逻辑 - 缓冲器SN74LVC541APWR

型号/规格:

SN74LVC541APWR

品牌/商标:

TI

封装:

SO

批号:

22+

产品信息

深圳市 英瑞尔电子科技有限公司(Inreal)是一家专注于工业控制、航空航天、物联网、电力电子、通讯网络、汽车电子 、医疗电子等行业优质供应商。
公司成立于2006年,自成立以来一直信守“以质量求生存、以信誉求发展”的发展理念。在十多年的发展中,公司以“质量可靠、响应及时、周期保证、价格公道”为工作原则,坚持做到了想用户所想,急用户所急,努力为用户排忧解难。使公司获得了用户的高度认可,公司也得到长足的进步和发展。先后被多家民企客户评为优质供应商。被多家大中型国企和科研院所评为优质合格供方。



      • 大小:277.8KB
      • 厂家:IRF [International Rectifier]
      • 描述:HEXFET Power MOSFET
      • 标准包装:25
      • 类别:分离式半导体产品
      • 家庭:FET - 单
      • 系列:HEXFET®
      • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
      • FET 特点:逻辑电平门
      • 漏极至源极电压(Vdss):75V
      • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
      • 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫欧 @ 195A,10V
      • Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
      • 闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
      • 输入电容 (Ciss) @ Vds:19230pF @ 50V
      • 功率 - :520W
      • 安装类型:通孔
      • 封装/外壳:TO-247-3
      • 供应商设备封装:TO-247ACI

      • 大小:277.8KB
      • 厂家:IRF [International Rectifier]
      • 描述:HEXFET Power MOSFET
      • 标准包装:25
      • 类别:分离式半导体产品
      • 家庭:FET - 单
      • 系列:HEXFET®
      • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
      • FET 特点:逻辑电平门
      • 漏极至源极电压(Vdss):75V
      • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
      • 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫欧 @ 195A,10V
      • Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
      • 闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
      • 输入电容 (Ciss) @ Vds:19230pF @ 50V
      • 功率 - :520W
      • 安装类型:通孔
      • 封装/外壳:TO-247-3
      • 供应商设备封装:TO-247ACI

      • 大小:277.8KB
      • 厂家:IRF [International Rectifier]
      • 描述:HEXFET Power MOSFET
      • 标准包装:25
      • 类别:分离式半导体产品
      • 家庭:FET - 单
      • 系列:HEXFET®
      • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
      • FET 特点:逻辑电平门
      • 漏极至源极电压(Vdss):75V
      • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
      • 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫欧 @ 195A,10V
      • Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
      • 闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
      • 输入电容 (Ciss) @ Vds:19230pF @ 50V
      • 功率 - :520W
      • 安装类型:通孔
      • 封装/外壳:TO-247-3
      • 供应商设备封装:TO-247ACI





      -Ch
      Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 120V
      Drain-Source On Resistance-Max: 3.6mΩ
      Rated Power Dissipation: 300|W
      Qg Gate Charge: 158nC
      封装类型:  TO-263-7 (D2PAK7)
      安装方式: